ИНСТИТУТ СЕНСОРНОЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ СО РАН
директор Института - профессор Валерий Викторович Болотов
Институт сенсорной микроэлектроники - это ассоциированный институт в составе Объединенного института физики полупроводников. Политика дирекции долгое время строилась, исходя из базового предположения о плотном контакте и работе по совместным программам с головной организацией - ИФП СО РАН, стремления широко сотрудничать с институтами СО РАН, университетами Сибирского региона. Стремились вести на высоком научном уровне научно-исследовательские работы, одновременно осуществляя подготовку кадров, планомерно оснащая институт научным и технологическим оборудованием. Практические результаты подтвердили правильность такого подхода. Так по числу научных публикаций и патентов ИСМЭ СО РАН занимает одно из первых мест в числе институтов физико-технического профиля СО РАН (1,5-1,8 публикаций на одного научного сотрудника). Исключительно усилиями института (организационными и финансовыми) поддерживаются совместные исследования с ИФП СО РАН, где создана и функционирует совместная лаборатория, а на четырех кафедрах физического факультета ОмГУ сотрудниками института ведется подготовка молодых исследователей.

В последние годы на основе проведенных исследований по основной тематике - материаловедение и элементная база микросенсорики, - сотрудниками института получены результаты мирового класса по созданию структур "кремний-на-стекле" для изготовления активных матриц для управления жидкокристаллическими экранами (дисплеи, рентгеновские матрицы нового поколения и др.), структуры "кремний-на-изоляторе" для силовой и сенсорной микроэлектроники (совместно с ИФП СО РАН). Создаются магнитометры на основе высокотемпературных сверхпроводнико-ВТСП-сквидов (совместно с ОмГУ); газовые датчики на метан и другие водородосодержащие соединения на основе протон-проводящих твердых электролитов с линейностью в диапазоне от 0 до 100 процентов содержания метана. Это далеко неполный перечень интереснейших научных результатов, полученных сотрудниками в тяжелейших условиях становления и развития института.

Создание привлекательных условий работы для молодых исследователей, увеличение их числа - приоритетные задачи для дирекции института. Функционирует аспирантура по специальностям "физика твердого тела" и "физика полупроводников и диэлектриков". Институт поддерживает, начиная с третьего курса, талантливых студентов физического факультета и аспирантов. До шести человек из числа талантливой молодежи остается ежегодно работать в институте! Это, несомненно, залог успешного развития и жизнестойкости института.

Существенно развивается экспериментальная и технологическая база. Оборудование достаточно дешево приобретено у предприятий и организаций бывшего Министерства электронной промышленности. Например, - полный комплект технологического оборудования для изготовления кремниевых приборов; аналитическое оборудование. Однако рост института и запуск оборудования сдерживается отсутствием площадей.

Текущую работу и свои перспективы коллектив формирует, ориентируясь прежде всего на собственные силы и на сотрудничество с заинтересованными партнерами.

из интервью В. Болотова газете «Наука в Сибири» (№ 29, июль 1999).